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申请/专利权人：爱思开海力士有限公司
摘要：垂直半导体装置及用于制造垂直半导体装置的方法可以包括：在下部结构上方形成介电层和牺牲层的交替层叠物；通过蚀刻交替层叠物形成开口；在形成有开口的交替层叠物上形成非共形的阻挡层；将沉积抑制剂吸附在阻挡层的表面上，以将非共形的阻挡层转换为上面吸附有沉积抑制剂的共形的阻挡层；以及在共形的阻挡层上形成电荷储存层。
主权项：1.一种用于制造垂直半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：在下部结构上方形成介电层和牺牲层的交替层叠物；通过蚀刻所述交替层叠物来形成开口；在形成有所述开口的所述交替层叠物上形成非共形的阻挡层；执行表面处理以将沉积抑制剂吸附在所述阻挡层的表面上并且将所述非共形的阻挡层转换为上面吸附有所述沉积抑制剂的共形的阻挡层；以及在所述共形的阻挡层上形成电荷储存层。
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