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申请/专利权人:西北工业大学
摘要:本发明提出了双温区化学气相沉积法实现过渡金属硫族化合物纳米管的一步生长和结构可控方法,通过磁控溅射金纳米薄膜和高温退火处理,可以得到直径可调均匀分布金纳米颗粒修饰的硅片,以此为生长衬底。在化学气相沉积高温反应过程中,进一步通过双温区高温炉精细调控过渡金属氧化物粉末、硫粉和硒粉的比例和蒸发速率,以及调控氢气和氮气的流量和比例,最终可以实现高晶体质量过渡硫族化合物纳米管的一步生长。进一步,通过调控生长衬底的温度,可以显著影响过渡金属硫族化合物纳米管的生长机制,得到手性特性不同的过渡金属硫族化合物纳米管,即实现了过渡金属硫族化合物纳米管手性的定向调控。
主权项:1.一种过渡金属硫族化合物纳米管的制备方法,其特征在于,具体步骤如下:S1:以高纯金为溅射靶材,以硅片为溅射基底,在100℃,直流功率50W的溅射条件下溅射35S,获得10nm均匀厚度的金膜;S2:把磁控溅射所获得金膜放入高温管式炉中退火,先用40分钟时间从25℃升温至750℃,然后恒温750℃保持10min,最后用10min降至25℃,在硅片上获得催化活性较高且颗粒直径均匀的金纳米颗粒催化剂;把制备得到的带有金纳米颗粒的硅片放在长方体样品台上面;S3:用石英舟分别称量过渡金属氧化物和硫族元素粉末,把渡金属氧化物均匀铺在石英舟上,把硫族元素粉末放置在送料装置上;S4:将石英舟和样品台分别放入高温管式炉的特定区域中;将送料装置置于高温管式炉右侧非加热区;S5:设置特定的加热区间和加热温度,当温度到达某一特定温度时,开始通入一定量的氢气和氮气混合气体,同时将送料装置缓慢将硫族元素粉末送入右温区,使其达到初始融化状态,并在一定时间内均匀推进硫族元素粉末,直至全部蒸发。S6:当左温区保温时间结束后,停止保温,自然降温至25℃,右温区保温时间结束后,停止保温,自然降温至25℃,取出样品台,获得成品。
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权利要求:
百度查询: 西北工业大学 过渡金属硫族化合物纳米管一步生长和结构可控的方法
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