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申请/专利权人：中国科学院上海技术物理研究所

摘要：本发明公开了一种基于大过冲快速递变的铟镓砷材料结构及其制备方法，所述材料结构自上而下包括InwAl1‑wAs固定组分接触层、InxGa1‑xAs固定组分吸收层、InwAl1‑wAs固定组分缓冲层、InyAl1‑yAs固定组分弛豫层、InzAl1‑zAs大过冲快速递变线性缓冲层、In0.52Al0.48As晶格匹配缓冲层和InP同质缓冲层。所述InwAl1‑wAs固定组分接触层、InxGa1‑xAs固定组分吸收层和InwAl1‑wAs固定组分缓冲层三者晶格匹配，其中0.52＜w≤0.85、0.53＜x≤0.85。所述InyAl1‑yAs固定组分弛豫层的组分为w+0.05≤y≤1，所述InzAl1‑zAs大过冲快速递变线性缓冲层自下而上的组分由0.52线性递增至y，递变速率为v，0.4h≤v≤0.6h。本发明的材料结构设计可促进铟镓砷吸收层处于完全弛豫状态下生长，大幅降低晶圆翘曲，提高铟镓砷少子寿命，以此材料结构制备焦平面探测器时，有利于获得较高的信噪比。

主权项：1.一种基于大过冲快速递变的铟镓砷材料结构，其结构自上而下依次包括InwAl1-wAs固定组分接触层1，InxGa1-xAs固定组分吸收层2，InwAl1-wAs固定组分缓冲层3，InyAl1-yAs固定组分弛豫层4，InzAl1-zAs大过冲快速递变线性缓冲层5，In0.52Al0.48As晶格匹配缓冲层6，InP同质缓冲层7，其特征在于：所述InwAl1-wAs固定组分接触层1的组分为0.52＜w≤0.85，所述InxGa1-xAs固定组分吸收层2的组分为0.53＜x≤0.85，所述InwAl1-wAs固定组分缓冲层3的组分为0.52＜w≤0.85，并且所述InwAl1-wAs固定组分接触层1、InxGa1-xAs固定组分吸收层2和InwAl1-wAs固定组分缓冲层3三者之间晶格匹配，所述InyAl1-yAs固定组分弛豫层4的组分为w+0.05≤y≤1，所述InzAl1-zAs大过冲快速递变线性缓冲层5自下而上的组分由0.52线性递增至y，所述InzAl1-zAs大过冲快速递变线性缓冲层5的组分递变速率，即每小时InzAl1-zAs中组分z线性递变的量，为v，0.4h≤v≤0.6h。

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百度查询： 中国科学院上海技术物理研究所 一种基于大过冲快速递变的铟镓砷材料结构及其制备方法