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申请/专利权人：合肥芯能半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种逆导型IGBT器件及其制备方法，包括：间隔排布的第一元胞区域和第二元胞区域，其中，所述第一元胞区域中设置有IGBT结构，所述第二元胞区域中设置有二极管结构，所述二极管结构包括：第一半导体类型的第一衬底，所述第一衬底上方设置有第一半导体类型的第一缓冲层；所述第一缓冲层上方设置有第一半导体类型的第一漂移层；所述第一漂移层上方设置有第二半导体类型的第一体区；所述第一体区上方设置有第一半导体类型的第一源区；所述第一源区和部分所述第一体区的上方设置有第一发射极结构，所述第一漂移层和另一部分所述第一体区上方设置有第一栅极结构，所述第一发射极结构和所述第一栅极结构之间短接，且所述第一栅极结构和所述IGBT结构中的第二栅极结构断开。
主权项：1.一种逆导型IGBT器件，其特征在于，所述逆导型IGBT器件包括：间隔排布的第一元胞区域和第二元胞区域，其中，所述第一元胞区域中设置有IGBT结构，所述第二元胞区域中设置有二极管结构，所述二极管结构包括：第一半导体类型的第一衬底，所述第一衬底上方设置有第一半导体类型的第一缓冲层；所述第一缓冲层上方设置有第一半导体类型的第一漂移层；所述第一漂移层上方设置有第二半导体类型的第一体区；所述第一体区上方设置有第一半导体类型的第一源区；所述第一源区和部分所述第一体区的上方设置有第一发射极结构，所述第一漂移层和另一部分所述第一体区上方设置有第一栅极结构，所述第一发射极结构和所述第一栅极结构之间短接，且所述第一栅极结构和所述IGBT结构中的第二栅极结构断开。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥芯能半导体有限公司 一种逆导型IGBT器件及其制备方法
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