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申请/专利权人：沧州华宇特种气体科技有限公司
摘要：本发明属于电子专用材料制造技术领域，具体为一种化学气相沉积法制备碳化硅单晶的装置及方法，包括第一玻璃圆筒和第二玻璃圆筒，所述第二玻璃圆筒设置在第一玻璃圆筒的下端，所述第一玻璃圆筒的上端固定设置有第一金属端盖，所述第二玻璃圆筒的下侧壁固定设置有第二金属端盖，通入低浓度甲基硅烷气体、周围通入惰性气体等步骤，通过调节特定参数，可以得到最小的气相分解量，减少生成的粉状无定形物，该方法的操作过程涉及旋转籽晶、引入甲基硅烷气体和冷氢气、控制电流等步骤，以实现碳化硅的表面反应生成和沉积，除了氢气，其他对甲基硅烷和热分解产物惰性的气体也可以作为保护气使用。
主权项：1.一种化学气相沉积法制备碳化硅单晶的装置，包括第一玻璃圆筒1和第二玻璃圆筒2，其特征在于，所述第二玻璃圆筒2设置在第一玻璃圆筒1的下端，所述第一玻璃圆筒1的上端固定设置有第一金属端盖3，所述第二玻璃圆筒2的下侧壁固定设置有第二金属端盖4，所述第一玻璃圆筒1和第二玻璃圆筒2相靠近的一侧中间共同固定设置有密封环6，所述密封环的上侧壁和下侧壁均设置有聚氯丁橡胶垫圈5，两个所述聚氯丁橡胶垫圈5背离的一侧分别与所述第一玻璃圆筒1和第二玻璃圆筒2的侧壁接触，所述第一玻璃圆筒1和第二玻璃圆筒2连接处的外部设置有原边线圈7，所述原边线圈7的内部设置有副边线圈8，所述原边线圈7和副边线圈8之间设置有绝缘垫9，所述第一玻璃圆筒1和第二玻璃圆筒2的内部设置有工作线圈10，所述第二金属端盖4的侧壁转动设置有轴11，所述轴11的上端设置有硅单晶籽晶12，所述第一金属端盖3的侧壁固定设置有气体进口管13，所述第二金属端盖4的侧壁固定设置有出口管14，所述出口管14的上端开设有缝15，所述轴11的侧壁固定设置有对称的刷子16；所述气体进口管13的内部设置有粗管17和细管18。
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