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申请/专利权人：浙江大学温州研究院;浙江大学;温州志感科技有限公司
摘要：本发明公开了一种MOF原位衍生氧化物半导体材料、气敏传感器及其制备方法，采用简单的溶剂热法和室温静置制备复合材料，利用MOF的结构优势，然后结合煅烧工艺制备半导体异质结构。两种材料的界面处形成紧密接触的异质结，同时纳米颗粒获得更大的气体吸附量，改进室温传感性能；MOF衍生的空心氧化物具有较大的比表面积和大量的活性气体吸附位点；此外，通过紫外光激发，使半导体材料敏感层内部形成了丰富的光生载流子即空穴和电子，光生空穴和电子可以通过内部电场有效地分离，进而提高气敏性能。所述的传感器具有高灵敏度和选择性，低检测极限，快速响应，良好长期稳定性，抗湿性的气敏性能，非常适用于低浓度的室温环境NO2检测。
主权项：1.一种MOF原位衍生氧化物半导体材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1将硝酸铟水合物和对苯二甲酸分散于二甲基甲酰胺中，搅拌一段时间，加热，反应结束后将所得产物洗涤、干燥后得到MOF-In；2将MOF-In加入至甲醇中，超声分散，然后加入硝酸锌六水合物和二甲基咪唑，搅拌均匀，反应结束后将所得产物洗涤、干燥后得到MOF-InMOF-Zn复合材料；3将所得MOF-InMOF-Zn复合材料研磨成粉末，煅烧得到所述MOF原位衍生氧化物半导体材料。
全文数据：
权利要求：
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