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申请/专利权人：西安理工大学
摘要：本发明公开了快速开启的SCR器件，P衬底上设有N阱一、P阱一、N阱二、P阱二、N阱三和N阱四；P阱二下表面与P衬底之间嵌有深N阱；N阱一上设有P+注入区一、沟槽一和N+注入区一；N阱一和P阱一交界处设有沟槽二；P阱一、N阱二、P阱二上表面共同设有N+注入区二；P阱二上还设有平台、N+注入区三、沟槽三及P+注入区二，平台上表面为氧化层；P阱二、N阱三、低凸台和N阱四上表面共同设有沟槽四；N阱四上还设有N+注入区四、沟槽五和P+注入区三，N阱四与P衬底的高凸台上设有沟槽六；P衬底的高凸台还设有P+注入区四。本发明属于集成电路静电放电防护技术领域，在ESD事件下具有较快开启速度及较低过冲电压。
主权项：1.快速开启的SCR器件，其特征在于：P衬底1上设有N阱一3、P阱一4、N阱二5、P阱二6、N阱三7和N阱四8，N阱三7和N阱四8被P衬底1的低凸台分隔；N阱四8的另一侧形成高凸台；P阱二6下表面与P衬底1之间嵌有深N阱2，深N阱2的两边延伸到N阱二5和N阱三7的下表面；N阱一3上设有P+注入区一9、沟槽一10和N+注入区一11；N阱一3和P阱一4交界处设有沟槽二12；P阱一4、N阱二5、P阱二6上表面共同设有N+注入区二13；P阱二6上还设有平台、N+注入区三15、沟槽三16及P+注入区二17，平台上表面为氧化层14；P阱二6、N阱三7、低凸台和N阱四8上表面共同设有沟槽四18；N阱四8上还设有N+注入区四19、沟槽五20和P+注入区三21，N阱四8与P衬底1的高凸台上设有沟槽六22；P衬底1的高凸台还设有P+注入区四23。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安理工大学 快速开启的SCR器件
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