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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：提供了半导体器件和用于测量半导体器件中的接触电阻的方法。该半导体器件包括：第一源极漏极区；第二源极漏极区，其上具有第二接触插塞；第三源极漏极区；第二金属线，在第二接触插塞上，第二通路在第二金属线和第二接触插塞之间；以及第一附加金属线，在第二接触插塞上，第一附加通路在第一附加金属线和第二接触插塞之间，其中第二源极漏极区设置在第一源极漏极区和第三源极漏极区之间并且连接到第一源极漏极区和第三源极漏极区，以及其中第二金属线和第一附加金属线在第二接触插塞上在第二水平方向上彼此间隔开第一预定距离。
主权项：1.一种半导体器件，包括：第一源极漏极区；第二源极漏极区，其上具有第二接触插塞；第三源极漏极区；第二金属线，在所述第二接触插塞上，第二通路在所述第二金属线和所述第二接触插塞之间；以及第一附加金属线，在所述第二接触插塞上，第一附加通路在所述第一附加金属线和所述第二接触插塞之间，其中所述第二源极漏极区设置在所述第一源极漏极区和所述第三源极漏极区之间并且连接到所述第一源极漏极区和所述第三源极漏极区，以及其中所述第二金属线和所述第一附加金属线在所述第二接触插塞上在第二水平方向上彼此间隔开第一预定距离。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 半导体器件和用于测量半导体器件中的接触电阻的方法
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