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申请/专利权人：苏州摩尔镓芯半导体科技有限公司
摘要：本发明涉及一种准垂直结构PIN二极管及其制备方法。准垂直结构PIN二极管包括：衬底；基于氮化镓的P型外延层，位于衬底的一侧；本征氮化镓外延层，位于P型外延层远离衬底的一侧；N型氮化镓外延层，位于本征氮化镓外延层远离衬底的一侧；阳极电极，位于P型外延层远离衬底的一侧；以及阴极电极，位于N型氮化镓外延层远离衬底的一侧。上述PIN二极管为倒置结构，受接触面积影响大的P型欧姆接触置于台面下，串联电阻较传统正置结构可大幅下降，电流密度提升；P型外延层与本征氮化镓外延层的界面处空穴扩散与背景载流子复合实现补偿掺杂，在本征氮化镓外延层上生长的N型氮化镓外延层更容易生长低掺杂浓度的本征氮化镓外延层，提升器件击穿特性。
主权项：1.一种准垂直结构PIN二极管，其特征在于，所述准垂直结构PIN二极管包括：衬底；基于氮化镓的P型外延层，位于所述衬底的一侧；本征氮化镓外延层，位于所述P型外延层远离所述衬底的一侧；N型氮化镓外延层，位于所述本征氮化镓外延层远离所述衬底的一侧；阳极电极，位于所述P型外延层远离所述衬底的一侧；以及阴极电极，位于所述N型氮化镓外延层远离所述衬底的一侧；所述P型外延层包括层叠的势垒层和氮化镓层，所述势垒层靠近所述衬底设置，所述势垒层与所述氮化镓层的界面处具有二维空穴气。
全文数据：
权利要求：
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