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申请/专利权人：四川师范大学
摘要：本发明公开了一种具备超低接触电阻的硅基半导体场效应晶体管及其制备方法，制备方法包括，通过注入硫族离子完成衬底的离子注入；利用光刻技术完成样品的图案化处理，采用光刻设备在衬底上制备接触图案，并进行金属沉积，形成覆盖在衬底上的金属层；通过电子束蒸发金属沉积并形成电极；采用闪光灯退火完成对电极的退火处理，并形成欧姆接触。本发明能在金半界面处形成合金，实现对肖特基势垒的二次调控，并且通过检测步骤实现对接触电阻的监控，保证欧姆接触能够顺利实现。
主权项：1.一种具备超低接触电阻的硅基半导体场效应晶体管制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：S100、通过注入硫族离子完成衬底的离子注入，在完成所述衬底的离子注入后，使用脉冲激光器对衬底进行熔融处理，所述离子注入采用硫族元素超掺杂方式，制备出具有1021cm-3电子密度的超掺杂硅层；S200、利用光刻技术完成样品的图案化处理；其中，采用光刻设备在衬底上制备接触图案，并进行金属沉积，形成覆盖在衬底上的金属层，所述金属沉积的顺序为通过溅射沉积在衬底上沉积出一层粘附层，然后在所述粘附层上通过电子束蒸发沉积出导电防腐层，所述粘附层沉积在所述衬底上，粘附层用于肖特基势垒的调控和阻挡杂质元素扩散到半导体材料中；所述导电防腐层沉积在粘附层上，所述导电防腐层用于提供导电性以及保护粘附层不被氧化或腐蚀，所述粘附层的材质为钛金属，厚度为4~9nm；所述导电防腐层的材质为金或银，厚度为40~90nm；S300、通过电子束蒸发金属沉积并形成电极；S400、采用闪光灯退火方式完成对电极的退火处理，并形成欧姆接触，所述闪光灯退火的时间为1.3~20ms。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 四川师范大学 一种具备超低接触电阻的硅基半导体场效应晶体管及其制备方法
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