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申请/专利权人：MMI半导体有限公司
摘要：热式流量传感器芯片，具有：加热器部；以及1对热电堆，其以所述加热器部为中心对置设置，所述加热器部通过在硅中掺杂使电阻降低的杂质而形成，所述热电堆包含通过在硅中掺杂使电阻降低的杂质而形成的硅区域，包括在所述第一方向上延伸的所述加热器部的长度方向的中央的加热器主要部的所述杂质的浓度，低于所述加热器主要部以外的部分且包括所述加热器部的所述长度方向的端部在内的加热器外缘部的所述杂质的浓度，并且，所述加热器主要部的所述杂质的浓度，与所述热电堆的所述硅区域的至少一部分中的所述杂质的浓度相同。
主权项：1.一种热式流量传感器芯片，其特征在于，具有：基板部；薄膜部，其设置在所述基板部上；加热器部，其在所述薄膜部上沿第一方向延伸设置；以及1对热电堆，其以所述加热器部为中心对置设置在所述薄膜部上，所述加热器部通过在硅中掺杂使电阻降低的杂质而形成，所述热电堆分别包含通过在硅中掺杂使电阻降低的杂质而形成的硅区域，并且在所述第一方向上排列有多个热电偶，该热电偶在靠近所述加热器部的一侧配置有温接点且在远离所述加热器部的一侧配置有冷接点，包括在所述第一方向上延伸的所述加热器部的长度方向的中央的加热器主要部的所述杂质的浓度，低于所述加热器主要部以外的部分且包括所述加热器部的所述长度方向的端部在内的加热器外缘部的所述杂质的浓度，并且，所述加热器主要部的所述杂质的浓度，与所述热电堆的所述硅区域的至少一部分中的所述杂质的浓度相同。
全文数据：
权利要求：
百度查询： MMI半导体有限公司 热式流量传感器芯片
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