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申请/专利权人：广东省科学院半导体研究所
摘要：本申请公开了一种基于蛾眼复合微纳结构的深紫外LED及其制作方法，涉及半导体技术领域。本申请实施例提供的基于蛾眼复合微纳结构的深紫外LED，包括依次层叠设置的n型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、p型AlGaN层、p型GaN层，以及分别设置在n型AlGaN层和p型GaN层的n电极和p电极；n型AlGaN层上设置有若干微米级凹坑，微米级凹坑的内壁上设有若干纳米凸起，微米级凹坑的底部设置有若干金属纳米颗粒。通过在n型AlGaN层的微米级凹坑中设置纳米凸起以及金属纳米颗粒，能够提高深紫外LED的发光效率。
主权项：1.一种基于蛾眼复合微纳结构的深紫外LED，其特征在于，包括依次层叠设置的n型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、p型AlGaN层、p型GaN层，以及分别设置在所述n型AlGaN层和所述p型GaN层的n电极和p电极，所述p电极背离所述p型GaN层的一侧设置有反射镜层和导电衬底；所述n型AlGaN层上设置有若干微米级凹坑，所述微米级凹坑的内壁上设有若干纳米凸起，所述微米级凹坑的底部设置有若干金属纳米颗粒。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广东省科学院半导体研究所 基于蛾眼复合微纳结构的深紫外LED及其制作方法
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