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一种晶片表面气氛形成装置及半导体工艺设备 

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申请/专利权人:北京华卓精科科技股份有限公司

摘要:本发明提供了一种晶片表面气氛形成装置及半导体工艺设备,涉及晶片加工技术领域,为解决现有用于在晶片表面形成惰性气体氛围的方案均通过真空技术实现,导致使用成本较高的问题而设计。该晶片表面气氛形成装置包括第一吹气结构、第二吹气结构和支撑件,第一吹气结构包括位于晶片上方的第一吹气孔,第一吹气孔被配置为向晶片的上表面吹第一气体,晶片支撑于晶片固定盘;支撑件环绕设置在晶片的外周,支撑件开设有排气通道,且支撑件与晶片固定盘的外周之间形成与排气通道连通的吹扫通道;第二吹气结构支撑于支撑件,包括第二吹气孔,第二吹气孔位于晶片外周与吹扫通道之间,用于在吹扫通道向下吹第二气体。本发明使用正压气体,成本较低。

主权项:1.一种晶片表面气氛形成装置,其特征在于,包括第一吹气结构106、第二吹气结构104和支撑件103,所述第一吹气结构106包括位于所述晶片105上方的第一吹气孔a1,所述第一吹气孔a1被配置为向所述晶片105的上表面吹第一气体,所述晶片105支撑于晶片固定盘102;所述支撑件103环绕设置在所述晶片105的外周,所述支撑件103开设有排气通道310,且所述支撑件103与所述晶片固定盘102的外周之间形成与所述排气通道310连通的吹扫通道108;所述第二吹气结构104支撑于所述支撑件103,包括第二吹气孔a2,所述第二吹气孔a2位于所述晶片105外周与所述吹扫通道108之间,用于在所述吹扫通道108向下吹第二气体。

全文数据:

权利要求:

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