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摘要：本发明公开了一种SRAM结构，包括：设于衬底表面上的SRAM位单元；所述SRAM位单元设有作为上拉晶体管的第一晶体管和第二晶体管，作为下拉晶体管的第三晶体管和第四晶体管，以及作为传输门晶体管的第五晶体管和第六晶体管；所述第五晶体管和所述第六晶体管设于所述衬底的表面上；所述第一晶体管和所述第三晶体管垂直堆叠于所述衬底的表面上，并形成第一互补场效应晶体管；所述第二晶体管和所述第四晶体管垂直堆叠于所述衬底的表面上，并形成第二互补场效应晶体管。本发明通过形成创新的CFETSRAM结构，能大幅度减少器件所占的总面积，明显提升电路的集成度。
主权项：1.一种SRAM结构，其特征在于，包括：设于衬底表面上的SRAM位单元；所述SRAM位单元设有作为上拉晶体管的第一晶体管和第二晶体管，作为下拉晶体管的第三晶体管和第四晶体管，以及作为传输门晶体管的第五晶体管和第六晶体管；所述第五晶体管和所述第六晶体管设于所述衬底的表面上；所述第一晶体管和所述第三晶体管垂直堆叠于所述衬底的表面上，并形成第一互补场效应晶体管；所述第二晶体管和所述第四晶体管垂直堆叠于所述衬底的表面上，并形成第二互补场效应晶体管。
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百度查询： 上海集成电路制造创新中心有限公司 一种SRAM结构
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