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申请/专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要：本发明提供一种声波谐振器及其制备方法，所述制备方法包括：提供一压电材料层；于压电材料层的至少部分上表面进行离子注入并后退火处理，以于压电材料层中预设深度处形成具有预设厚度的高缺陷密度损伤层；于压电材料层上表面形成至少一个暴露高缺陷密度损伤层的腐蚀窗口；基于腐蚀窗口去除至少部分高缺陷密度损伤层，以于压电材料层中形成空气隙；其中，空气隙将压电材料层分为压电衬底及压电薄膜，压电薄膜位于空气隙的上方，压电薄膜与压电衬底在空气隙的边缘处具有接触；于压电薄膜上表面形成图案化电极。通过本发明提供的声波谐振器及其制备方法，解决了现有声波谐振器无法满足5G通信需求的问题。
主权项：1.一种声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：a）提供一压电材料层；b）于所述压电材料层的至少部分上表面进行离子注入并后退火处理，以于所述压电材料层中预设深度处形成具有预设厚度的高缺陷密度损伤层；其中，所述离子注入分多次进行，多次离子注入的剂量相同、能量不同且多次离子注入的能量值依次递减，所述后退火的工艺温度不高于550℃且工艺时间不大于4h，以此恢复离子注入引入至所述压电材料层内的缺陷并使缺陷聚集，但不至于使形成的所述高缺陷密度损伤层起泡裂开；c）于所述压电材料层上表面形成至少一个暴露所述高缺陷密度损伤层的腐蚀窗口；d）基于所述腐蚀窗口去除至少部分所述高缺陷密度损伤层，以于所述压电材料层中形成空气隙；其中，所述空气隙将所述压电材料层分为压电衬底及压电薄膜，所述压电薄膜位于所述空气隙的上方，所述压电薄膜与所述压电衬底在所述空气隙的边缘处具有接触；e）于所述压电薄膜上表面形成图案化电极；所述制备方法中各步骤的执行顺序为a）、b）、c）、d）、e），a）、e）、b）、c）、d），a）、b）、e）、c）、d），或a）、b）、c）、e）、d）；在所述制备方法中各步骤的执行顺序为a）、e）、b）、c）、d），a）、b）、e）、c）、d），或a）、b）、c）、e）、d）时，e）则是于所述压电材料层上表面形成图案化电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种声波谐振器及其制备方法
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