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申请/专利权人：北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司;北京凯德石英股份有限公司

摘要：本申请涉及一种石英异型冷加工件加工工艺及石英异型冷加工件，其中主要技术方案为石英异型冷加工件加工工艺，其包括以下步骤：S1铣削成型、S2磨削基准面、S3切断分件、S4平面研磨、S5酸洗、S6火焰抛光、S7组合焊接、S8退火。本申请能够提高承托部的平面度，提高硅片的定位效果，同时减少硅片的划伤。

主权项：1.一种石英异型冷加工件加工工艺，其特征在于：包括以下步骤：S1、铣削成型：将石英毛坯铣削成石英铣削件，石英铣削件包括承托主体（1）、安装部（2）和两个前挡靠部（3），所述承托主体（1）具有中心孔（10），承托主体（1）的上表面凸出成型有圆弧状的承托部，承托部包括两个第一承托部（11）和一个第二承托部（12），第一承托部（11）和第二承托部（12）的上表面共面，第一承托部（11）和第二承托部（12）的曲率中心均为中心孔（10）的轴心，所述前挡靠部（3）高于承托部的上表面，前挡靠部（3）的内凹侧面设为第一挡靠面（30），第一挡靠面（30）的曲率中心为中心孔（10）的轴心，前挡靠部（3）与第一承托部（11）之间成型有第一待切割段（13）；安装部（2）的一侧设为后挡靠部（21），后挡靠部（21）高于承托部的上表面，后挡靠部（21）的内凹侧面设为第二挡靠面（210），第二挡靠面（210）的曲率中心为中心孔（10）的轴心，后挡靠部（21）与第二承托部（12）之间成型有第二待切割段（22）；S2、磨削基准面：对石英铣削件的背面进行磨削，磨削后，该背面设为基准面，前挡靠部（3）、承托主体（1）和安装部（2）的底面均为基准面；S3、切断分件：将第一待切割段（13）和第二待切割段（22）切除，前挡靠部（3）、承托主体（1）和安装部（2）成为独立个体；S4、平面研磨：将承托主体（1）和安装部（2）分别研磨；采用单面研磨机，以承托主体（1）的背面作为基准面，对承托主体（1）的承托部上表面进行研磨；采用单面研磨机，以安装部（2）的背面作为基准面，对安装部（2）的上表面进行研磨；S5、酸洗：对前挡靠部（3）、承托主体（1）和安装部（2）进行酸洗；S6、火焰抛光：对前挡靠部（3）、承托主体（1）和安装部（2）进行火焰抛光；S7、组合焊接：利用夹具装夹前挡靠部（3）、承托主体（1）和安装部（2），其中装夹的基准面为前挡靠部（3）、承托主体（1）和安装部（2）所共面的基准面；对前挡靠部（3）的切断面与承托主体（1）的位于第一承托部（11）一侧的切断面进行焊接；对后挡靠部（21）的切断面与承托主体（1）的位于第二承托部（12）一侧的切断面进行焊接；S8、退火。

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