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摘要：公开了半导体装置封装100的制造，该半导体装置封装包括管芯110、衬底120、第一连接区域112和第二连接区域122，第一连接区域提供与管芯的电连接，第二连接区域提供与衬底键合焊盘的电连接，并且第一和连接区域面向相同的方向，其中在第一连接区域的边缘和第二连接区域的边缘之间并且沿着管芯的侧面施加并固化非导电材料，并且其中在第一连接区域和第二连接区域之间并且沿着固化的非导电材料的表面施加并固化导电材料。
主权项：1.一种制造半导体装置封装100，200的方法300，所述半导体装置封装包括管芯110，120、衬底120，220、第一连接区域112，212和第二连接区域122，222，其中所述第一连接区域提供与所述管芯的电连接，其中所述第二连接区域提供与设置在所述衬底上的衬底键合焊盘、引线框和条带框中的一者的电连接，并且其中所述第一连接区域和所述第二连接区域面向相同的方向，所述方法包括：在所述第一连接区域的边缘和所述第二连接区域的边缘之间并且沿着所述管芯的侧面施加302非导电材料，并且固化304所述非导电材料，从而形成第一非导电材料主体130，230；在所述第一连接区域和所述第二连接区域之间并且沿着所述第一非导电材料主体的表面施加306一种或多种导电材料，并且固化308所述导电材料，从而形成第二导电材料主体132，232。
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百度查询： 安世有限公司 半导体装置封装互连及其制造方法
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