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摘要:本发明提供了一种提高腐蚀硅片表面洁净度的洗净方法及硅片,包括:步骤S1:使用低浓度且浓度满足预设要求的TMAH有机溶液去除从酸腐蚀液中取出的硅片表面的酸液以及硅片表面的杂质;步骤S2:使用去离子水冲洗;步骤S3:使用低浓度且浓度满足预设要求的HF溶液清洗,去除硅片表面金属;步骤S4:使用去离子水冲洗;步骤S5:使用低浓度且浓度满足预设要求的碱溶液进行清洗;步骤S6:使用低浓度且浓度满足预设要求的表面活性剂溶液进行清洗;步骤S7:使用去离子水冲洗;步骤S8:使用低浓度且浓度满足预设要求的HF溶液进行清洗,去除硅片表面金属;步骤S9:使用去离子水冲洗。
主权项:1.一种提高腐蚀硅片表面洁净度的洗净方法,其特征在于,包括:步骤S1:使用低浓度且浓度满足预设要求的TMAH有机溶液去除从酸腐蚀液中取出的硅片表面的酸液以及硅片表面的杂质;步骤S2:使用去离子水冲洗;步骤S3:使用低浓度且浓度满足预设要求的HF溶液清洗,去除硅片表面金属;步骤S4:使用去离子水冲洗;步骤S5:使用低浓度且浓度满足预设要求的碱溶液进行清洗;步骤S6:使用低浓度且浓度满足预设要求的表面活性剂溶液进行清洗;步骤S7:使用去离子水冲洗;步骤S8:使用低浓度且浓度满足预设要求的HF溶液进行清洗,去除硅片表面金属;步骤S9:使用去离子水冲洗。
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百度查询: 上海中欣晶圆半导体科技有限公司 提高腐蚀硅片表面洁净度的洗净方法及硅片
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