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摘要：本发明涉及一种硅片研磨方法。硅片研磨方法包括：提供硅片，所述硅片表面存在表面损伤层；利用第一研磨盘和第一研磨垫在第一压力下对所述硅片进行第一研磨工艺，去除所述表面损伤层；利用第二研磨盘和第二研磨垫在第二压力下对所述硅片进行第二研磨工艺；利用所述第二研磨盘和所述第二研磨垫在第三压力下对所述硅片进行第三研磨工艺；所述第三压力小于所述第二压力。本发明提供的硅片研磨方法可以降低硅片表面缺陷和粗糙度，提高硅片表面形貌均匀性和研磨速率，进而提高研磨后硅片的良率和可靠性。
主权项：1.一种硅片研磨方法，其特征在于，包括：提供硅片，所述硅片表面存在表面损伤层；利用第一研磨盘和第一研磨垫在第一压力下对所述硅片进行第一研磨工艺，去除所述表面损伤层；利用第二研磨盘和第二研磨垫在第二压力下对所述硅片进行第二研磨工艺；利用所述第二研磨盘和所述第二研磨垫在第三压力下对所述硅片进行第三研磨工艺；所述第三压力小于所述第二压力。
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百度查询： 北京晶亦精微科技股份有限公司 一种硅片研磨方法
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