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摘要：本发明公开了一种超高真空内原位制作二维量子霍尔器件的装置及方法，包括可XY平面内旋转和Z轴移动的操纵台、样品台、样品架和传样杆，所述操纵台上固定有多根导轨柱，导轨柱的底端固定有环形支架；所述样品台固定安装在导轨柱上，样品台上开设有插槽，样品架插在插槽的内部，样品架内固定有1英寸大小的样品晶圆；所述样品台的正下方设有轮盘底座，轮盘底座包括轮盘座上层和轮盘座下层。本发明所有的过程全部处于超高真空内，结合超高真空分子束外延生长薄膜技术，在超高真空腔体内利用一种轮盘式原位更换掩膜的方法直接将分子束外延生长好的薄膜原位制备成栅压调控的二维量子霍尔器件，使得样品免受大气污染和氧化以及微纳加工过程中受到的化学污染，极大地提高了栅压调控的超导霍尔器件的制备效率，简化了流程，降低了成本。

主权项：1.一种超高真空内原位制作二维量子霍尔器件的装置，包括可XY平面内旋转和Z轴移动的操纵台（1）、样品台（2）、样品架（6）和传样杆（4），其特征在于，所述操纵台（1）上固定有多根导轨柱（501），导轨柱（501）的底端固定有环形支架（5）；所述样品台（2）固定安装在导轨柱（501）上，样品台（2）上开设有插槽（203），样品架（6）插在插槽（203）的内部，样品架（6）内固定有1英寸大小的样品晶圆（601）；所述样品台（2）的正下方设有轮盘底座（3），轮盘底座（3）包括轮盘座上层（303）和轮盘座下层（302），轮盘座上层（303）和轮盘座下层（302）之间分别转动安装有齿轮C（305）和齿轮B（304），轮盘座上层（303）的顶端转动连接有掩膜旋翼（10），掩膜旋翼（10）上安装有四个掩膜（1001），掩膜旋翼（10）的中心位置设有第一支柱（1002），第一支柱（1002）与齿轮C（305）固定，所述导轨柱（501）的外部位于轮盘底座（3）与环形支架（5）之间套设有复位弹簧（301）；所述轮盘底座（3）的上还设有齿轮A（401），齿轮C（305）、齿轮B（304）和齿轮A（401）依次啮合，通过传样杆（4）推动轮盘底座（3）向下移动；所述样品台（2）上开设有掩膜容纳孔（201）和旋翼定位孔（202），掩膜容纳孔（201）与掩膜旋翼（10）相互匹配，旋翼定位孔（202）与第一支柱（1002）相互对应；所述插槽（203）上位于样品架（6）的两侧具有辅助定位机构（7），所述辅助定位机构（7）包括转轴（701）和弹性伸缩杆（707），转轴（701）的顶端固定有触发杆（702）和夹持杆（703），夹持杆（703）的一端固定有弧形夹持条（704），触发杆（702）的一端固定有触发球（706），弹性伸缩杆（707）的伸缩端固定有滑动棒（708），触发杆（702）上开设有矩形开口（705），滑动棒（708）通过矩形开口（705）贯穿触发杆（702），样品台（2）的顶端还通过滑轨（709）弹性滑动安装有限位楔块（710），弹性伸缩杆（707）的伸缩端顶侧固定有竖直设置的限位杆（711）。

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