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摘要：本发明公开了一种覆阵列式金属复合纳米线封装基板的制备方法，属于电子制造技术领域。本发明的覆阵列式金属复合纳米线的封装基板的制备方法包括以下步骤：在陶瓷基片的一测覆盖铜箔，得到陶瓷覆铜板；取含有阵列式纳米级贯穿孔的掩模版，制备含金属层的掩模版；将所述含金属层的掩模版的含金属层的一侧与所述陶瓷覆铜板的含铜箔的一侧对准，进行热压焊接，获得覆掩模版的陶瓷基板；在所述覆掩模版的陶瓷基板上电镀阵列式金属纳米线和外部金属；进行贴膜、光刻显影和线路刻蚀。本发明通过在覆掩模版的陶瓷基板上预制阵列式金属复合纳米线来取代焊膏涂敷工艺，可实现功率器件的低成本、高可靠封装互连。

主权项：1.一种覆阵列式金属复合纳米线的封装基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1制备覆掩模版的陶瓷基板：在陶瓷基片的一测覆盖铜箔，得到陶瓷覆铜板；取含有阵列式纳米级贯穿孔的掩模版，在所述掩模版的一侧依次沉积金属铜层和金属锡层，得到含金属层的掩模版；将所述含金属层的掩模版的含金属层的一侧与所述陶瓷覆铜板的含铜箔的一侧对准，进行热压焊接，获得覆掩模版的陶瓷基板；2制备覆阵列式金属复合纳米线的陶瓷基板：使用方法一或者方法二在所述覆掩模版的陶瓷基板上电镀阵列式金属纳米线和外部金属，得到覆阵列式金属复合纳米线的陶瓷基板；所述方法一包括以下步骤：将所述覆掩模版的陶瓷基板置于电解液中，通过电化学沉积在掩模版的纳米级贯穿孔中电镀阵列式金属纳米线，获得覆阵列式金属纳米线的陶瓷基板；将所述覆阵列式金属纳米线的陶瓷基板置于电解液中，通过电化学沉积过程在阵列式金属纳米线层表面电镀外部金属，随后去除掩模版，获得覆阵列式金属复合纳米线的陶瓷基板；所述方法二包括以下步骤：将所述覆掩模版的陶瓷基板置于电解液中，通过电化学沉积在掩模版的纳米级贯穿孔中电镀阵列式金属纳米线，随后去除掩模版，获得覆阵列式金属纳米线的陶瓷基板；将所述覆阵列式金属纳米线的陶瓷基板置于电解液中，通过电化学沉积过程在阵列式金属纳米线层表面电镀外部金属，获得覆阵列式金属复合纳米线的陶瓷基板；3通过贴膜、光刻显影和线路刻蚀工艺在所述覆阵列式金属复合纳米线的陶瓷基板上的阵列式金属复合纳米线层和铜箔上形成图形，最终得到覆阵列式金属复合纳米线的封装基板。

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百度查询： 华中科技大学 一种覆阵列式金属复合纳米线封装基板的制备方法