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摘要：本发明涉及一种多谱段TDICCD结构，属于图像传感器领域。具体地，其包括至少两个规则排布在同一芯片衬底上的子TDICCD，还包括沿着子TDICCD排布方向设置的垂直信号转移电极、水平信号转移电极和级数选通电极。其中垂直信号转移电极、水平信号转移电极和级数选通电极组成一子单元，在子TDICCD排布方向的正交方向上，周期地分布若干个子单元。在子TDICCD排布方向的一端，设置若干金属总线，通过金属总线将垂直信号转移电极、水平信号转移电极和级数选通电极引出至压点。本发明实现了多谱段TDICCD结构的紧凑，还采用金属贯通布局设计，简化了信号转移、级数选通等电极的布局，有利于保证器件的均匀性性能。
主权项：1.一种多谱段TDICCD结构，包括至少两个规则排布在同一芯片衬底上的子TDICCD，其特征在于：还包括沿着所述子TDICCD排布方向设置的垂直信号转移电极、水平信号转移电极和级数选通电极；所述垂直信号转移电极、水平信号转移电极和级数选通电极组成一子单元，在子TDICCD排布方向的正交方向上，周期地分布若干个子单元；在所述子TDICCD排布方向的一端，设置若干金属总线，通过所述金属总线将所述垂直信号转移电极、水平信号转移电极和级数选通电极引出至压点。
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权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第四十四研究所 一种多谱段TDICCD结构
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