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摘要：本发明提供一种N型截止环FRD产品及其制作方法，涉及半导体技术领域，本发明的N型截止环FRD制作方法包括以下步骤：提供一半导体衬底，衬底包括器件区域和伪器件区域；在器件区域形成有源区和伪有源区；在有源区之间、伪有源区之间以及有源区和伪有源区之间形成划片道；在划片道内形成N型截止环；提供监控版图，在监控版图上形成P型注入监控图形；根据及监控版图，在伪器件区域和或伪有源区形成P型注入监控区。本发明通过优化监控版图，有效避免了在N型截止环区域内形成寄生二极管，从而显著降低了因寄生二极管引起的漏电流问题，提高了N型截止环FRD产品的可靠性。
主权项：1.一种N型截止环FRD产品的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体衬底，所述衬底的中间区域为器件区域，所述器件区域外围的所述衬底的边缘区域为伪器件区域；在所述器件区域内形成有源区和伪有源区，所述有源区位于所述器件区的中间区域，所述伪有源区位于所述有源区的外围区域；在所述有源区之间、所述伪有源区之间以及相邻的所述有源区和所述伪有源区之间形成划片道；在所述划片道内形成N型截止环；提供监控版图，在所述监控版图上形成P型注入监控图形，所述P型注入监控图形形成在远离所述N型截止环的所述伪器件区和或所述伪有源区所对应的区域；以所述监控版图为掩膜，向所述半导体衬底进行离子注入，以在所述伪器件区和或所述伪有源区形成P型注入监控区。
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百度查询： 上海积塔半导体有限公司 一种N型截止环FRD产品及其制作方法
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