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申请/专利权人：汉轩微电子制造(江苏)有限公司;徐州爱易翰林院企业管理中心(有限合伙);芯智想半导体技术(上海)有限公司

摘要：本发明公开了一种嵌入FRD的IGBT器件及其制造方法，属于半导体器件制造技术领域，该嵌入FRD的IGBT器件的制造方法，提供N型掺杂的衬底，衬底中具有沟槽型栅极结构，在沟槽型栅极结构的两侧进行离子注入形成第二P型掺杂区，还在第二P型掺杂区靠近沟槽型栅极结构的一侧进行离子注入形成第二N型掺杂区，且第二P型掺杂区和第二N型掺杂区均与沟槽型栅极结构的外侧至少部分地接触；位于第二P型掺杂区背离沟槽型栅极结构的一侧形成至少一保护环，在保护环的外围形成一边缘电场终止区。通过排布FRD和IGBT的结构，提高了器件集成度，由于电场截止层的存在，不需要使用很厚的衬底作为缓冲区来承受电压。

主权项：1.一种嵌入FRD的IGBT器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供N型掺杂的衬底，所述衬底中具有沟槽型栅极结构，在所述沟槽型栅极结构的两侧进行离子注入形成第二P型掺杂区，还在所述第二P型掺杂区靠近所述沟槽型栅极结构的一侧进行离子注入形成第二N型掺杂区，且所述第二P型掺杂区和第二N型掺杂区均与所述沟槽型栅极结构的外侧至少部分地接触；位于所述第二P型掺杂区背离所述沟槽型栅极结构的一侧形成至少一保护环，在所述保护环的外围形成一边缘电场终止区，用于定义所述IGBT器件的区域；在所述衬底的背面还形成交替排列的第一P型掺杂区和第一N型掺杂区，且所述第一P型掺杂区对应所述沟槽型栅极结构的底部形成，所述第一P型掺杂区和第一N型掺杂区之间还通过安全区间隔，所述安全区处未进行离子注入，其中，在所述沟槽型栅极结构和所述第一P型掺杂区之间还形成有电场截止层，由位于所述电场截止层和所述第二P型掺杂区之间的所述衬底形成缓冲漂移区；其中，所述FRD包括第二P型掺杂区、保护环、边缘电场终止区以及缓冲漂移区、电场截止层、第一N型掺杂区，所述第二P型掺杂区充当所述IGBT器件的P阱和所述FRD的正极，所述第一N型掺杂区充当所述FRD的负极，所述FRD至少部分的包围所述IGBT器件。

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