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申请/专利权人：无锡硅动力微电子股份有限公司
摘要：本发明涉及一种集成纵向FRD的RC‑LIGBT器件及其制作工艺。本发明包括P型衬底；N型埋层，设置于所述P型衬底顶部；埋氧化层，设置于所述P型衬底表面且与所述N型埋层接触；N型漂移区，设置于所述埋氧化层表面；其中，所述埋氧化层在位于所述N型漂移区和所述N型埋层之间的部分设置有开孔，所述开孔位于器件的无源区。本发明通过在P型衬底中加入N型埋层，将纵向的FRD集成到LIGBT中，以实现反向导通功能，并消除了电压折回效应。
主权项：1.一种集成纵向FRD的RC-LIGBT器件，其特征在于，包括：P型衬底（1）；N型埋层（2），设置于所述P型衬底（1）顶部；埋氧化层（3），设置于所述P型衬底（1）表面且与所述N型埋层（2）接触；N型漂移区（4），设置于所述埋氧化层（3）表面；其中，所述埋氧化层（3）在位于所述N型漂移区（4）和所述N型埋层（2）之间的部分设置有开孔（31），所述开孔（31）位于器件的无源区；所述N型漂移区（4）一侧设置有P型阱区（5），所述埋氧化层（3）表面在所述N型漂移区（4）一侧设置有N型缓冲层（6），所述P型阱区（5）顶部设置有第一N+重掺杂区（51）和第一P+重掺杂区（52），所述N型缓冲层（6）顶部设置有第二P+重掺杂区（61），所述第一N+重掺杂区（51）、所述第一P+重掺杂区（52）和所述第二P+重掺杂区（61）均位于器件的有源区，所述N型漂移区（4）顶部位于器件的无源区设置有第二N+重掺杂区（41）。
全文数据：
权利要求：
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