龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：南京国盛电子有限公司;南京盛鑫半导体材料有限公司
摘要：本发明提供一种厚层FRD外延片制备方法，在外延层生长过程中采用多次升温‑降温工艺，有效释放硅外延片的应力，生产的厚层FRD产品厚度＞100μm裂片率降至0.1％以下，其余参数均满足FRD器件的性能指标要求，保证了产品的质量和生产的稳定性，为厚层FRD产品＞100μm甚至超厚层FRD产品＞150μm的裂纹裂片问题提供了有效解决途径。
主权项：1.一种厚层FRD外延片制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、处理基座和硅衬底片；S2、升温并通入H2、硅源和磷掺杂源，在硅衬底片基础上生长第一层掺杂外延层；S3、第一层掺杂外延层生长完成后，均匀降温至设定值，并维持一定时间；S4、均匀升温至第一层掺杂外延层生长温度，并维持一定时间；S5、重复步骤S2-S4，生长若干层掺杂外延层；S6、完成掺杂外延层生长后，降温，依次通入H2、N2吹扫，将外延片取出。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京国盛电子有限公司 南京盛鑫半导体材料有限公司 一种厚层FRD外延片制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号