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申请/专利权人：桑德斯微电子器件(南京)有限公司
摘要：一种FRD的外延层结构芯片，对于高压500‑1700V的FRD器件，使用双层外延层：第一层外延层即在衬底上先淀积的层，为N型轻掺杂外延，掺杂离子为磷，电阻率范围为0.5‑10ohm.cm,厚度范围小于20um；第二层外延层即在第一层外延层上再淀积的层，为N型轻掺杂外延，掺杂离子为磷，电阻率范围为15‑120ohm.cm,厚度范围为40‑110um。具体的电阻率和厚度可以依据实际产品的特征要求在上述范围内作相应的调整。
主权项：1.一种FRD的外延层结构芯片，其特征是，包括衬底和设置在衬底上的第一外延层和第二外延层，在第二外延层上设有FRD芯片的有源结构；外延层中：第一外延层即在衬底上先淀积的层，为N型轻掺杂外延，掺杂离子为磷，电阻率范围为0.5-10ohm.cm,厚度范围小于20um；第二外延层是在第一外延层上再淀积的层，为N型轻掺杂外延，掺杂离子为磷，电阻率范围为15-120ohm.cm,厚度范围为40-110um；用于高压500-1700V的FRD器件。
全文数据：
权利要求：
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