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摘要：本公提供了一种自对准结构氮化镓p沟道增强型器件的制备方法，包括：操作S1：制备异质外延衬底，自下至上包括衬底、缓冲层、势垒层、盖帽层；操作S2：在盖帽层表面制备硬掩模层；操作S3：保留器件中间区域的硬掩膜层以暴露盖帽层，或对器件两侧的异质外延结构进行不同深度的刻蚀以至于暴露缓冲层；操作S4：在暴露的盖帽层或缓冲层上再生长重掺杂的p型材料层得到源漏区域，并去除中间区域的硬掩膜层得到凹槽状的栅极区域；操作S5：在p型材料层上制备欧姆接触电极得到源极和漏极；操作S6：在凹槽状的栅极区域表面沉积栅介质层，并生长金属得到栅极，完成自对准结构氮化镓p沟道增强型器件的制备。同时还提供了通过上述制备方法制备得到的自对准结构氮化镓p沟道增强型器件。
主权项：1.一种自对准结构氮化镓p沟道增强型器件的制备方法，包括：操作S1：制备异质外延衬底，自下至上包括衬底、缓冲层、势垒层、盖帽层；操作S2：在盖帽层表面制备硬掩模层；操作S3：保留器件中间区域的硬掩膜层以暴露盖帽层，或对器件两侧的异质外延结构进行不同深度的刻蚀以至于暴露缓冲层；操作S4：在暴露的盖帽层或缓冲层上再生长重掺杂的p型材料层得到源漏区域，并去除中间区域的硬掩膜层得到凹槽状的栅极区域；操作S5：在p型材料层上制备欧姆接触电极得到源极和漏极；操作S6：在凹槽状的栅极区域表面沉积栅介质层，并生长金属得到栅极，完成自对准结构氮化镓p沟道增强型器件的制备。
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百度查询： 中国科学院微电子研究所 自对准结构氮化镓p沟道增强型器件及制备方法
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