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摘要：本发明涉及一种磁控溅射镀膜装置及镀膜方法，所述磁控溅射镀膜装置包括反应腔室、磁控靶、离子源和样品台；所述反应腔室为真空密封结构；所述磁控靶固定且连通于所述反应腔室的底面；所述离子源包括呈对称设置的第一离子源和第二离子源，所述第一离子源和所述第二离子源分别固定且连通于所述反应腔室的两端侧面；所述离子源包括第一进气口、传输通道和出口，所述第一进气口用于从所述反应腔室外部通入反应气体进入所述离子源中；所述样品台位于所述反应腔室的顶端。本发明将对称的双离子源离化反应气体配合磁控靶的溅射，在基片衬底上反应镀膜，提高了气体的离化率，抑制了溅射时靶中毒现象，提高了镀膜速率，实现了低温下单晶或多晶薄膜的制备。
主权项：1.一种磁控溅射镀膜装置，其特征在于，所述磁控溅射镀膜装置包括反应腔室、磁控靶、离子源和样品台；所述反应腔室为真空密封结构；所述磁控靶固定且连通于所述反应腔室的底面；所述离子源包括呈对称设置的第一离子源和第二离子源，所述第一离子源和所述第二离子源分别固定且连通于所述反应腔室的两端侧面；所述离子源包括第一进气口、传输通道和出口，所述第一进气口用于从所述反应腔室外部通入反应气体进入所述离子源中；所述样品台位于所述反应腔室的顶端。
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百度查询： 中国科学院赣江创新研究院 一种磁控溅射镀膜装置及镀膜方法
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