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一种靶材抛光方法 

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摘要:本申请涉及一种靶材抛光方法,属于金属加工技术领域。本申请利用超声波抛光的方法对靶材进行抛光,通过同时利用磨料超声撞击和化学腐蚀对靶材进行粗抛,以及控制粗抛所用抛光液采用特定的配方及超声波抛光所用磨料的目数在特定范围内,能够有效降低靶材表面粗糙度,减少半导体镀膜的预溅射时间,降低镀膜成本,提升镀膜生产效率,而且精磨过程中无需再采用化学腐蚀,降低了抛光成本。

主权项:1.一种靶材抛光方法,其特征在于,包括以下步骤:依次利用超声波抛光的方法对靶材进行粗抛和精抛,再清洗,干燥,得到目标靶材;其中,所述粗抛所用抛光液包含以下重量百分含量的组分:酸浓度1.5%~40%,三氯化铁0~4%,水60%~98.5%;所述超声波抛光所用磨料的目数在200-3000目范围内。

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