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最新专利技术
  • 来自再循环的锂离子电池的掺杂的阴极材料前体
    来自再循环的锂离子电池的掺杂的阴极材料前体_升腾元素公司_202311368744.4
    一种电池再循环方法，其聚集包含来自耗尽的Li‑ion电池的充电材料金属的再循环流，并在再循环序列的共沉淀阶段使用掺杂物质产生具有可比较或改善的循环寿命的再循环的电池充电材料以及具有较少裂纹缺陷的再循环的充电材料前体。在共沉淀过程中，产生混合...
    2024-09-23
  • 一种多语言多平台算法封装调度系统及方法
    一种多语言多平台算法封装调度系统及方法_中煤科工西安研究院(集团)有限公司_202311376856.4
    本申请涉及一种多语言多平台算法封装调度系统及方法，能够实现遗留程序的现代化改造，通过采用Java作为主要语言，结合遗留程序对应编程语言适用的封装方式，遗留算法或程序进行封装，避免了源程序性能下降或崩溃的问题，实现了低成本的现代化改造；通过将...
    2024-09-23
  • 存储器装置和存储装置
    存储器装置和存储装置_爱思开海力士有限公司_202311396126.0
    本公开涉及存储器装置和存储装置。根据本公开的实施方式，存储器装置可以包括：存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括在垂直于基板的方向上层叠的存储器单元，存储器单元中的每一个包括第一子存储器单元以及具有比第一子存储器单元的尺寸大的尺寸的第二子存储...
    2024-09-23
  • 来自再循环的锂离子电池的掺杂的阴极材料
    来自再循环的锂离子电池的掺杂的阴极材料_升腾元素公司_202311413135.6
    一种电池再循环方法，其聚集包含来自耗尽的Li‑ion电池的充电材料金属的再循环流，并在再循环序列的共沉淀阶段使用掺杂物质产生具有可比较或改善的循环寿命的再循环的电池充电材料以及具有较少裂纹缺陷的再循环的充电材料前体。在共沉淀过程中，产生混合...
    2024-09-23
  • 互补晶体管的调谐功函数
    互补晶体管的调谐功函数_台湾积体电路制造股份有限公司_202311424596.3
    本申请公开了互补晶体管的调谐功函数。一种方法，包括：基于半导体区域的第一部分来形成源极/漏极区域；基于半导体区域的第二部分来形成界面层；在界面层上形成偶极子膜；在偶极子膜上沉积高k电介质层；以及在高k电介质层上沉积功函数层。
    2024-09-23
  • 用于多产品总装配线上的足迹过循环风险的标识和警告的系统和方法
    用于多产品总装配线上的足迹过循环风险的标识和警告的系统和方法_通用汽车环球科技运作有限责任公司_202311438022.1
    用于多产品总装配线上的足迹过循环风险的标识和警告的系统和方法。一种系统包括模块，被配置为对于输送机的每个足迹通过以下内容标识具有不同车辆特性的车辆组和每个车辆组的过循环分布或任何给定车辆组的背靠背序列：针对每个车辆特性计算具有车辆特性的第一...
    2024-09-23
  • 用于模拟多产品总装配线上的输送机循环的方法
    用于模拟多产品总装配线上的输送机循环的方法_通用汽车环球科技运作有限责任公司_202311432712.6
    用于模拟多产品总装配线上的输送机循环的方法。一种用于模拟输送机的方法包括接收每个循环的输送机内容，输送机内容包括针对足迹循环时间的每个输送机的足迹处的特定于车辆组的过循环分布，针对每个足迹循环时间跨输送机的所有足迹确定具有该循环时间或更少的...
    2024-09-23
  • 半导体器件和包括其的电子系统
    半导体器件和包括其的电子系统_三星电子株式会社_202311455857.8
    提供了半导体器件和包括其的电子系统。所述半导体器件可以包括：半导体基板；外围电路结构，所述外围电路结构位于所述半导体基板上；以及单元阵列结构，所述单元阵列结构位于所述外围电路结构上。所述单元阵列结构可以包括：堆叠件；第一上绝缘层，所述第一上...
    2024-09-23
  • 一种旋转式植物灯布光系统
    一种旋转式植物灯布光系统_广东伟照业光电节能有限公司_202311495661.1
    本发明公开了一种旋转式植物灯布光系统，其特征在于，它包括悬置支架、环形灯架、旋转驱动装置、两组或两组以上的LED灯，环形灯架活动设置在悬置支架上，旋转驱动装置连接带动环形灯架绕圆心转动，两组以上的LED灯分设于环形灯架上，环形灯架在转动时，...
    2024-09-23
  • 燃气-蒸汽联合循环发电系统
    燃气-蒸汽联合循环发电系统_华能洋浦热电有限公司_202311507048.7
    本发明涉及火力发电技术领域，具体涉及燃气－蒸汽联合循环发电系统，包括：燃气轮机本体，其烟气出口端安装有余热锅炉；蒸汽轮机本体，其热源入口与余热锅炉的蒸汽出口连通，蒸汽轮机本体的蒸汽出口连通有凝汽器；热泵本体，其吸热侧入口与凝汽器出口连通，其...
    2024-09-23
  • 一种用于核燃料棒表面临时性防护涂层及其制备方法
    一种用于核燃料棒表面临时性防护涂层及其制备方法_南昌大学_202311549046.4
    本发明提供了一种用于核燃料棒表面临时性防护涂层及其制备方法，涉及防护涂层涂料技术领域。本发明提供的涂层以重量份数计，包括以下组分：65‑70份的丙烯酸‑2‑乙基己酯、106‑110份的甲基丙烯酸甲酯、3.2‑4.0份的丙烯酸、5.4‑7.2...
    2024-09-23
  • 多层电容器及其制造方法
    多层电容器及其制造方法_三星电机株式会社_202311563236.1
    本公开提供了一种多层电容器及其制造方法。所述多层电容器包括：主体，包括介电层以及第一内电极和第二内电极，所述第一内电极和所述第二内电极在彼此间隔开的同时在所述多层电容器的厚度方向上彼此堆叠，且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间...
    2024-09-23
  • 半导体制程及设备
    半导体制程及设备_欧门科技股份有限公司_202311590479.4
    一种半导体制程，包括：提供待加工电子组件于一腔体内部；提升该腔体内部的温度及压力至第一温度与第一压力，并维持一第一时间段；降低该腔体内部的压力至第二压力，然后回复至常压，保持该腔体内部的温度为该第一温度，并持续一第二时间段；通入氮气或惰性气...
    2024-09-23
  • 静电放电保护器件
    静电放电保护器件_三星电子株式会社_202311603983.3
    公开了一种静电放电保护器件，所述静电放电保护器件包括：衬底、具有第一导电类型的第一阱和包围所述第一阱的第二阱、形成在所述第一阱上的第一扩散区至第五扩散区以及形成在所述第二阱上的第六扩散区和第七扩散区。所述第二扩散区包围所述第一扩散区，所述第...
    2024-09-23
  • 一种跨模态哈希检索方法
    一种跨模态哈希检索方法_新疆大学_202311612523.7
    本发明公开了一种跨模态哈希检索方法，涉及跨模态学习技术领域。包括以下步骤：1)、首先包含图像网络、文本网络、标签网络在内的跨模态特征学习网络，通过特征融合图注意力分类学习模块将每个三元组信息映射到高维汉明空间；2)、如上所述，使用SwinT...
    2024-09-23
  • 光电子总成
    光电子总成_II-VI特拉华有限公司_202311628236.5
    一种光电子总成包括：印刷电路板(PCB)；集成电路(IC)衬底，所述IC衬底可操作地安装在所述PCB上，所述IC衬底包括有源元件和无源元件中的至少一者；垂直腔表面发射激光器(VCSEL)，所述VCSEL可操作地安装在所述IC衬底的第一表面上...
    2024-09-23
  • 具有共享驱动器、均衡和数据路径电路的MIPI C-PHY和D-PHY接口
    具有共享驱动器、均衡和数据路径电路的MIPI C-PHY和D-PHY接口_半导体元件工业有限责任公司_202311649398.7
    本公开涉及具有共享驱动器、均衡和数据路径电路的MIPI C‑PHY和D‑PHY接口。一种成像电路可包括配置为支持移动行业处理器接口(MIPI)D‑PHY模式和C‑PHY模式的半驱动器子电路。两个半驱动器子电路的组可在D‑PHY模式中耦接在一...
    2024-09-23
  • 隔离开关
    隔离开关_国网内蒙古东部电力有限公司赤峰供电公司_202311685586.5
    本发明公开了一种隔离开关，包括：筒体；静触头，其固定在筒体的顶部，静触头的头部位于筒体内，静触头的尾部通过导线连接至电气设备；活塞部件，其头部设置于柱状腔中；动触头，其固定于活塞部件上，动触头的尾部通过导线连接至接地线路；电阻部件，其包括上...
    2024-09-23
  • 一种基于生成式人工智能的代码逻辑漏洞发现方法
    一种基于生成式人工智能的代码逻辑漏洞发现方法_复旦大学_202311692039.X
    本发明涉及一种基于生成式人工智能的代码逻辑漏洞发现方法，方法包括：S1、获取代码块的逻辑任务进行代码块划分；S2、生成与代码块一一对应的功能提示；S3、将功能提示输入代码生成器，代码生成器输出与代码块一一对应的验证代码块；S4、将S1的划分...
    2024-09-23
  • 存储装置、存储装置的操作方法以及主机装置的操作方法
    存储装置、存储装置的操作方法以及主机装置的操作方法_三星电子株式会社_202311700150.9
    公开存储装置、存储装置的操作方法以及主机装置的操作方法，所述存储装置包括写入增强器缓冲器和正常存储设备。所述操作方法包括：将从主机装置接收的第一写入数据写入写入增强器缓冲器中；以及基于所述存储装置的装置温度，选择性地对写入增强器缓冲器执行刷...
    2024-09-23
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