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申请/专利权人：福建福晶科技股份有限公司
摘要：一种高质量BIBO晶体生长方法，采用氧化铋和硼酸为原料，采用异形坩埚为生长装置，所述坩埚采用铂金材质，坩埚呈倒圆锥形；籽晶杆采用铂金材质，籽晶浸没熔体中，位于熔体中部；所述坩埚置于炉膛中部，所述炉膛坩埚位置的温度变化范围在1℃以内。本发明采用倒圆锥形的异形坩埚，优选内侧面具有小锯齿，坩埚斜面与竖直方向的夹角为30~45°，满足了BIBO晶体往下生长的需求，并且加强熔体的对流，提高了均匀性；有效降低外界温度波动对晶体生长的影响，保证晶体生长部位熔体的均匀性，充分搅拌熔体，以获得最佳晶体质量的BIBO晶体。
主权项：1.一种高质量BIBO晶体生长方法，包括：采用氧化铋和硼酸为原料，按照化学计量比混匀，经过熔料，装入异形坩埚，以所述异形坩埚作为生长装置，将所述异形坩埚放入炉膛中，升温，旋转籽晶杆，生长得到BIBO晶体，其特征在于，所述异形坩埚内侧呈倒圆锥形，所述异形坩埚的内侧面上具有多个锯齿，所述坩埚置于炉膛中部，所述炉膛的异形坩埚位置的纵向温度变化范围在1℃以内；所述异形坩埚的倒圆锥形的纵向剖面与竖直方向的夹角为30~45°，在晶体生长时，熔体搅拌时间大于等于5天，取出搅拌桨，熔体缓慢降温至结晶温度附近，籽晶杆转速为30~35转分。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 福建福晶科技股份有限公司 一种高质量BIBO晶体生长方法
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