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一种提高HepG2细胞克隆形成率的单克隆增强培养基和方法 

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申请/专利权人:广州源井生物科技有限公司

摘要:本发明公开了一种提高HepG2细胞克隆形成率的单克隆增强培养基和方法,涉及HepG2细胞克隆技术领域。单克隆增强培养基的组分包括RPMI‑1640培养基、DMEM培养基、胎牛血清、肝细胞生长因子和胰岛素样生长因子‑1;提高HepG2细胞克隆形成率的方法如下:将HepG2细胞依次进行原代培养和传代培养后,采用有限稀释法制备单克隆,且在培养至24~48h后,将基础培养基更换为单克隆增强培养基,继续培养形成单克隆。使用本发明的单克隆增强培养基,HepG2细胞的单克隆形成率显著提高,这一发明解决了常规培养条件下HepG2细胞的单克隆形成率较低的问题。

主权项:1.一种提高HepG2细胞克隆形成率的单克隆增强培养基,其特征在于,所述单克隆增强培养基的组分包括RPMI-1640培养基、DMEM培养基、胎牛血清、肝细胞生长因子和胰岛素样生长因子-1。

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权利要求:

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