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针对特定图形旁波效应的OPC方法及通孔层OPC处理方法 

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申请/专利权人:华虹半导体(无锡)有限公司

摘要:本发明公开了一种针对特定图形旁波效应的OPC方法,包括:步骤S1,设定OPC模型的曝光阈值,输入目标图形,利用OPC模型模拟所述目标图形曝光后的光强分布,选择光强满足设定光强条件的长方形图形作为选定图形并输出;步骤S2,以所述选定图形中两条长边之间的距离满足设定距离条件的两条长边作为图形边;步骤S3,以所述图形边为目标图形边,在所述选定图形中生成散射条,所述散射条与所述图形边平行;步骤S4,以所述目标图形为目标、所述散射条为辅助图形,进行基于模型的OPC修正,得到最终的OPC图形。本发明还公开通孔层OPC处理方法。本发明通过添加辅助图形散射条改变光强分布,从而确保最终的曝光结果既能达到目标尺寸,又能避免产生额外曝光图形。

主权项:1.一种针对特定图形旁波效应的OPC方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤S1,设定OPC模型的曝光阈值Ith,输入目标图形,利用OPC模型模拟所述目标图形曝光后的光强分布,选择光强满足设定光强条件的长方形图形作为选定图形并输出;步骤S2,以所述选定图形中两条长边之间的距离满足设定距离条件的两条长边作为图形边;步骤S3,以所述图形边为目标图形边,在所述选定图形中生成散射条,所述散射条与所述图形边平行;步骤S4,以所述目标图形为目标、所述散射条为辅助图形,进行基于模型的OPC修正,得到最终的OPC图形。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 华虹半导体(无锡)有限公司 针对特定图形旁波效应的OPC方法及通孔层OPC处理方法

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