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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明属薄膜晶体管器件掺杂技术领域，具体涉及一种SWCNTs薄膜晶体管器件的P型掺杂方法。本发明采用自组装的方式通过两种物质之间的相互作用力组装SWCNTs薄膜用于制备晶体管器件阵列，通过超强吸电子能力双三氟甲烷磺酰亚胺TFSIP型掺杂剂处理SWCNTs薄膜，能够调控SWCNTs薄膜晶体管器件阈值电压，大幅提升SWCNTs薄膜晶体管器件的载流子迁移率和最大开态电流。本发明的有益效果在于，通过改变TFSI处理SWCNTs薄膜的温度和对器件进行退火处理能够调控SWCNTs薄膜晶体管器件的P型掺杂，在高性能SWCNTs薄膜晶体管器件领域具有广阔的应用前景。
主权项：1.一种SWCNTs薄膜晶体管器件的P型掺杂方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，在亲水处理后的基板上交替吸附带正电聚合物水溶液和SWCNTs溶液，组装SWCNTs薄膜；步骤2，使用P型掺杂剂处理步骤1制备的SWCNTs薄膜；步骤3，用步骤2处理后的SWCNTs薄膜制备场效应晶体管器件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 一种SWCNTs薄膜晶体管器件的P型掺杂方法
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