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申请/专利权人：安徽格恩半导体有限公司
摘要：本发明提供了一种设有弗兰克尔缺陷层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，上限制层的上方设有弗兰克尔缺陷层；弗兰克尔缺陷层在上限制层的上方，弗兰克尔缺陷层在上限制层的上方，诱导产生化学键合界面和第二相共格界面，调节界面能带弯曲、过电位和界面声子散射，产生界面电荷转移，对氢原子进行高效脱附，形成H2排出表面，提升上限制层的p型掺杂元素的离化率并降低掺杂元素的受主激活能，提升上限制层的空穴浓度，提升空穴注入有源层的效率和输运效率，提升激光元件的峰值增益和斜率效率。
主权项：1.一种设有弗兰克尔缺陷层的半导体激光元件，从下至上依次包括衬底100、下限制层101、下波导层102，有源层103、上波导层104、电子阻挡层105、上限制层106，其特征在于：上限制层106的上方设有弗兰克尔缺陷层107。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽格恩半导体有限公司 一种设有弗兰克尔缺陷层的半导体激光元件
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