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申请/专利权人：湖北九峰山实验室
摘要：本发明涉及一种高频高线性多级多沟道T‑GateFin‑HEMT结构，该结构从上至下至少依次包括第1组异质结叠层、第2组异质结叠层......第n组异质结叠层、缓冲层、衬底层，其中，n≥2；源电极和漏电极嵌设在异质结叠层两端；每组异质结叠层均包括沟道层和外延生长在沟道层上的势垒层；栅电极嵌设在位于源电极和漏电极之间的第1组异质结叠层至第n组异质结叠层中，呈阶梯状。该结构既实现了Fin结构的侧栅和顶栅的耦合，同时引入了不同Fin宽的阈值耦合，实现了器件的高线性度。
主权项：1.一种高频高线性多级多沟道T-GateFin-HEMT结构，其特征在于，从上至下至少依次包括第1组异质结叠层、第2组异质结叠层......第n组异质结叠层，缓冲层、衬底层，其中，n≥2；源电极和漏电极嵌设在异质结叠层两端；每组异质结叠层均包括沟道层和外延生长在沟道层上的势垒层；栅电极嵌设在位于源电极和漏电极之间的第1组异质结叠层至第n组异质结叠层中，呈阶梯状，从上至下依次形成第一级阶梯槽、第二级阶梯槽......第n级阶梯槽，其中，第一级阶梯槽竖向贯穿第1组异质结叠层、第二级阶梯槽竖向贯穿第2组异质结叠层和第1组异质结叠层，......，第n级阶梯槽竖向贯穿第1组异质结叠层、第2组异质结叠层......第n-1组异质结叠层和部分第n组异质结叠层的势垒层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖北九峰山实验室 一种高频高线性多级多沟道T-Gate Fin-HEMT结构及制备方法
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