龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明涉及一种降低外延层破碎几率的金刚石基氮化镓晶圆的制备方法，包括：在所述第一衬底层上制备氮化物外延层；采用光刻和干法刻蚀工艺从所述氮化物外延层的上表面刻蚀至所述第一衬底层的上表面，以形成若干个阵列排布的氮化物外延子层；采用晶圆键合方法将包含氮化物外延子层的晶圆上表面与第二衬底层通过第一键合层进行键合，得到第一键合片；去除所述第一键合片中的第一衬底层，暴露出所述氮化物外延子层的成核层或者缓冲层，得到第二键合片；将氮化物外延子层的下表面与金刚石衬底层进行晶圆键合，得到第三键合片；去除第二衬底层和第一键合层，得到金刚石基氮化镓晶圆。本发明降低在后续衬底剥离工艺中导致的氮化物外延层薄膜龟裂和破损几率，可有效提高金刚石基GaN晶圆的良品率。
主权项：1.一种降低外延层破碎几率的金刚石基氮化镓晶圆的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：步骤1、选取第一衬底层；步骤2、在所述第一衬底层上制备氮化物外延层，所述氮化物外延层包括从下至上依次层叠设置的成核层、缓冲层和氮化镓异质结层；步骤3、采用光刻和干法刻蚀工艺从所述氮化物外延层的上表面刻蚀至所述第一衬底层的上表面，以形成若干个阵列排布的氮化物外延子层，相邻两个所述氮化物外延子层之间具有穿透所述氮化物外延层至所述第一衬底层上表面的沟槽；步骤4、采用晶圆键合方法将包含所述氮化物外延子层的晶圆上表面与第二衬底层通过第一键合层进行键合，得到第一键合片；步骤5、去除所述第一键合片中的第一衬底层，暴露出所述氮化物外延子层的成核层或者缓冲层，得到第二键合片；步骤6、将所述氮化物外延子层的下表面与金刚石衬底层进行晶圆键合，得到第三键合片；步骤7、去除所述第三键合片中的第二衬底层和第一键合层，得到金刚石基氮化镓晶圆。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 降低外延层破碎几率的金刚石基氮化镓晶圆的制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号