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申请/专利权人：华映科技(集团)股份有限公司

摘要：本发明提供一种TopGate金属氧化物阵列基板及其制备方法，方法步骤如下：在玻璃基板上连续成膜第一透明导电层和第一金属层，采用同一枚灰阶光罩制备出遮光层和COM电极；然后成膜第一绝缘层、半导体层，并采用一枚光罩进行制备半导体层的区域；接着成膜栅极绝缘层、第二透明导电层和第二金属层，并采用同一枚灰阶光罩制备出栅极、像素电极；再成膜中间绝缘层，采用同一枚光罩对中间绝缘层与栅极绝缘层进行挖孔，制备第一通孔、二个第二通孔以及第三通孔；成膜第三金属层，制备源漏极、COM信号线；最后成膜钝化层。本发明通过优化结构和生产工艺，仅利用5枚光罩即可生产出高品质金属氧化物整列基板，大大降低了生产成本，提高生产效率。

主权项：1.一种TopGate金属氧化物阵列基板，其特征在于：包括玻璃基板，第一透明导电层，设置在所述玻璃基板上，所述第一透明导电层包括第一ITO层和COM电极；第一金属层，设置在所述第一透明导电层上，所述第一金属层包括遮光层，所述遮光层位于所述第一ITO层上，且形状与所述第一ITO层相对应；第一绝缘层，设置在所述第一金属层上；半导体层，设置在所述第一绝缘层上，所述半导体层的位置与所述遮光层相对应；栅极绝缘层，设置在所述半导体层上；第二透明导电层，设置在所述栅极绝缘层上，所述第二透明导电层包括第二ITO层和像素电极；第二金属层，设置在所述第二ITO层上，所述第二金属层与所述第二ITO层组成栅极；中间绝缘层，设置在所述第二金属层和所述像素电极上，所述中间绝缘层开设有第一通孔、二个第二通孔以及第三通孔，所述第一通孔位于所述像素电极上方，且从第一通孔露出所述像素电极的上表面；二所述第二通孔分别位于所述栅极的两侧，且向下贯穿所述栅极绝缘层并露出所述半导体层的上表面；所述第三通孔位于所述COM电极的上方，且向下贯穿所述栅极绝缘层和第一绝缘层并露出所述COM电极的上表面；第三金属层，设置在所述中间绝缘层上，所述第三金属层包括源极、漏极以及COM信号线，所述源极通过对应的第二通孔与半导体层相连接，所述漏极通过第一通孔和对应的第二通孔分别连接所述像素电极和所述半导体层；所述COM信号线通过第三通孔与所述COM电极相连接；钝化层，设置在所述第三金属层上。

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