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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
摘要：本发明公开了一种低噪声SiGe双极晶体管及其制造方法，双极晶体管包括：衬底、设置在衬底上的外延层、设置在外延层中且位于外延层的顶部的基区、设置在基区中且位于基区的顶部的发射区，发射区中包括侧墙复合结构，侧墙复合结构的材料由氮化硅、氧化硅和多晶硅复合而成。通过将侧墙结构中常用的氮化硅Spacer更改为氮化硅氧化硅多晶硅的侧墙结构，降低了SiGeHBT器件载流子在电流传输路径上由于界面缺陷引起的载流子俘获和释放的几率，进而有效抑制了载流子在输运过程中与陷阱缺陷的随机电报噪声的产额，达到抑制器件低频噪声的作用。
主权项：1.一种低噪声SiGe双极晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，并在所述衬底上形成外延层，所述外延层包括有源区；在所述外延层中有源区的两端分别形成一STI浅槽隔离结构，所述STI浅槽隔离结构由所述外延层的第一表面向所述衬底延伸，并穿透所述外延层延伸至所述衬底中；在所述外延层上依次形成氧化层、P型多晶硅层、第一介质层；依次对所述第一介质层、所述P型多晶硅进行刻蚀至氧化层，形成发射极窗口；对位于发射极窗口底部的氧化层进行腐蚀，形成悬空的基区结构，通过选择性外延形成SiGe基区；在所述发射极窗口内形成侧墙复合结构，所述侧墙复合结构贴附于所述发射极窗口侧壁与底部，所述侧墙复合结构的材料由氮化硅、氧化硅和多晶硅复合而成；在所述发射极窗口内形成发射极，且使所述发射极覆盖部分所述第一介质层；在第一介质层上形成第三介质层；在所述第三介质层上形成基极，并与所述SiGe基区电接触。
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权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第二十四研究所 一种低噪声SiGe双极晶体管及其制造方法
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