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申请/专利权人：应用材料公司
摘要：本文所述的实施方式是关于一种在水平环绕式栅极hGAA组件结构内外延沉积p通道金属氧化物半导体MMOS源极漏极区的方法。本文描述了前驱物的组合，其主要在100表面上生长源极漏极区，而在110表面上具有减少或可忽略的生长。因此，源极漏极区的生长主要位于基板的顶表面上，而不是hGAA结构的交替层上。前驱物组合包含含硅前驱物、含锗前驱物和含硼前驱物。这些前驱物中的至少一者进一步包含氯。
主权项：1.一种形成半导体组件的方法，包括以下步骤：在基板上形成多材料层，其中该多材料层包括以交替图案布置的多个结晶第一层和多个非结晶第二层；将该基板和该多材料层暴露于气体混合物，该气体混合物包含：含硅的第一前驱物；含锗的第二前驱物；以及含p型掺杂剂的第三前驱物，其中该第一前驱物、该第二前驱物或该第三前驱物中的至少一者进一步包含氯；在该基板上形成主要是100生长的源极漏极层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 应用材料公司 用于环绕式栅极晶体管的各向异性SIGE:B外延膜生长
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