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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
摘要：本公开提供了一种硅上绝缘体器件的陷阱富裕层制备方法，包括：在硅衬底的第一表面形成第一氧化层；对第一氧化层的预设区域进行刻蚀，预设区域具有第一图案；在硅衬底上形成具有第一图案的凹槽；在凹槽内形成第二氧化层；对第二氧化层进行预设离子束轰击，形成陷阱富裕区域；将硅衬底的第一表面与硅上绝缘体器件的基底表面键合，以使硅衬底作为硅上绝缘体器件的陷阱富裕层。本公开通过垂直外延分离氧化实现氧化层生成，利用刻蚀的第一氧化层作为掩膜板进行硅衬底的刻蚀处理，减少制备流程，缩短了生产周期并降低制备成本；通过对第一氧化层刻蚀情况的调整实现对刻蚀位置、刻蚀程度等情况的精确控制，使形成的陷阱富裕区域具有更高的精度和准确定。
主权项：1.一种硅上绝缘体器件的陷阱富裕层制备方法，其特征在于，包括：提供一硅衬底；在所述硅衬底的第一表面上进行垂直外延分离氧化，形成第一氧化层；对所述第一氧化层的预设区域进行刻蚀，以暴露所述硅衬底的第一表面与所述预设区域对应的部分，其中，所述预设区域具有第一图案；对所述硅衬底的第一表面暴露的部分进行各向异性湿法腐蚀刻蚀，以在所述硅衬底上形成具有第一图案的凹槽；在所述凹槽内进行垂直外延分离氧化，形成第二氧化层；对所述第二氧化层远离所述硅衬底的一侧表面进行预设离子束轰击，形成陷阱富裕区域；去除所述第一氧化层，并对所述硅衬底的第一表面进行平整化处理；对具有所述陷阱富裕区域的所述硅衬底进行退火处理；将所述硅衬底的第一表面与硅上绝缘体器件的基底表面键合，以使所述硅衬底作为所述硅上绝缘体器件的陷阱富裕层。
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权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种硅上绝缘体器件的陷阱富裕层制备方法
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