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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：衬底，衬底包括第一有源区和第二有源区；位于衬底内形成第一隔离结构和第二隔离结构，第一隔离结构用于隔离第一有源区，第二隔离结构用于隔离第二有源区，第一隔离结构的顶部表面高于第一有源区的顶部表面，第二隔离结构的顶部表面与第二有源区的顶部表面齐平；位于第一有源区上的第一栅氧层；位于第一有源区和第二有源区上的第二栅氧层，第二栅氧层覆盖位于第一有源区上的第一栅氧层。由于第一隔离结构的顶部表面高于第一有源区的顶部表面，进而使得第一隔离结构的边缘位置并未形成凹坑，保证形成在第一有源区上的第一栅氧层厚度的均匀性，以此提升后续以第一有源区形成的高压器件的电学性能。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括第一有源区和第二有源区；位于所述衬底内形成第一隔离结构和第二隔离结构，所述第一隔离结构用于隔离所述第一有源区，所述第二隔离结构用于隔离所述第二有源区，所述第一隔离结构的顶部表面高于所述第一有源区的顶部表面，所述第二隔离结构的顶部表面与所述第二有源区的顶部表面齐平；位于所述第一有源区上的第一栅氧层；位于所述第一有源区和所述第二有源区上的第二栅氧层，所述第二栅氧层覆盖位于所述第一有源区上的所述第一栅氧层。
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百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 半导体结构及其形成方法
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