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申请/专利权人：福建晶安光电有限公司
摘要：一种立式HVPE生长装置，用于生长单晶氮化镓，包括腔体管、气源区、单晶生长托盘和加热系统；气源区由多个气体导管嵌套组成，加热系统包含三个加热装置，对应三个温区，按立式HVPE装置由上至下的顺序，依次为第一加热装置，对应第一温区800℃至900℃，第二加热装置，对应第二温区1400℃至1600℃，第三加热装置，对应温区为1000℃至1100℃，所述第二加热装置为射频线圈。气体导管由三部分拼接组成，自上至下为石英部，隔热部，感应部。本发明通过改进立式HVPE生长装置的加热系统并改进其气体导管，设置三种特定温度的温区，并通过射频加热控制第二温区温度，可以有效抑制气体的提前反应，同时能保证NH3气体与GaCl气体在单晶生长托盘的充分混合，有利于生成高品质的单晶氮化镓。
主权项：1.一种立式HVPE生长装置，其特征在于，包括腔体管、气源区、单晶生长托盘和加热系统；腔体管开口部分为立式HVPE装置上部，单晶生长托盘位于装置下部。气源区在腔体管内侧，由多个气体导管嵌套组成，不同气体由不同的气体导管输送，气体导管内含一镓舟，提供反应的镓源，单晶生长托盘用于承载单晶氮化镓的生长，加热系统设置于腔体管外侧；其特征为，加热系统包含三个加热装置，对应三个温区，按立式HVPE装置由上至下的顺序，依次为第一加热装置，对应第一温区温度为800℃至900℃，第二加热装置，对应第二温区温度为1400℃至1600℃，第三加热装置，对应温区为1000℃至1100℃，所述第二加热装置为射频线圈。所述气体导管由三部分拼接组成，自上至下为石英部，隔热部，感应部。石英部底端水平高度低于或等于所述镓舟最底端的水平高度。
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百度查询： 福建晶安光电有限公司 一种立式HVPE生长装置
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