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申请/专利权人:聚勒微电子科技(太仓)有限公司
摘要:本实用新型公开了一种HVPE法生长氮化镓单晶的炉体结构,涉及氮化镓单晶的炉体领域,包括结构本体,所述结构本体顶部的正中安装有密封盖,所述密封盖的顶部固定连接有排气管,所述结构本体的正面转动连接有隔离门,所述结构本体背面的顶部固定连接有加热器,所述结构本体的内腔中活动连接有升降装置,驱动组件的正面转动连接有转动轴,所述驱动组件左右两侧的正中对称固定连接有活动块。本实用新型所述的一种HVPE法生长氮化镓单晶的炉体结构,此结构安全可靠,在进行工作时,可以对内部材料的状态进行观察,同时方便根据需求对材料的加热位置进行调节,同时方便对材料进行混合处理,能有效提高工作效率。
主权项:1.一种HVPE法生长氮化镓单晶的炉体结构,包括结构本体(1),其特征在于:所述结构本体(1)顶部的正中安装有密封盖(2),所述密封盖(2)的顶部固定连接有排气管(3),所述结构本体(1)的正面转动连接有隔离门(5),所述结构本体(1)背面的顶部固定连接有加热器(8);所述结构本体(1)的内腔中活动连接有升降装置(11),驱动组件(14)的正面转动连接有转动轴(15),所述驱动组件(14)左右两侧的正中对称固定连接有活动块(12);所述排气管(3)外壁的正中法兰连接有密封阀(4),所述隔离门(5)的背面固定连接有密封圈,所述隔离门(5)正面的左侧固定连接有把手(6),所述隔离门(5)正面的右侧固定连接有控制器(7)。
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