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申请/专利权人：广东先导微电子科技有限公司
摘要：本发明公开了一种碳掺杂砷化镓多晶及其制备方法、制备碳掺杂砷化镓多晶的设备，属于材料技术领域。所述碳掺杂砷化镓多晶，其碳浓度为0.2～2×1015atomscm3；所述碳掺杂砷化镓多晶具有空心圆柱结构；所述空心圆柱结构的外径为76～150mm，内径为10～20mm；所述空心圆柱结构的高度为200～400mm。所述碳掺杂砷化镓多晶具有较高的载流子浓度、电阻率以及良好的电性能均匀性，使用其作为砷化镓单晶的原料能制备得到电性能分布均匀、位错密度小的砷化镓单晶。本发明所述的碳掺杂砷化镓多晶的制备方法显著提高了砷化镓多晶的生产效率，实现了一次制备工艺下，砷化镓多晶重量增加100％以上。
主权项：1.一种碳掺杂砷化镓多晶，其特征在于，其碳浓度为0.2～2×1015atomscm3；所述碳掺杂砷化镓多晶具有空心圆柱结构；所述空心圆柱结构的外径为76～150mm，内径为10～20mm；所述空心圆柱结构的高度为200～400mm。
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