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申请/专利权人：漳州市合琦靶材科技有限公司
摘要：本发明提供了一种NBIS稳定性良好的双有源层氧化物薄膜晶体管及其制备方法，所述薄膜晶体管包括第一层有源层和第二层有源层，所述第一层有源层薄膜铽元素含量小于所述第二层有源层薄膜铽元素含量。本发明充分发挥铽元素高氧结合能和低电荷转移跃迁能的特性，通过掺杂少量的铽元素提升氧化物薄膜晶体管的电学性能及稳定性，采用两层不同铽元素含量的氧化物半导体薄膜的逐层堆叠构筑双有源层沟道，通过对有源层氧化物半导体薄膜材料组分精确控制，实现对氧化物TFT载流子迁移率和稳定性的提升。
主权项：1.一种双有源层氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备方法具体包括：步骤S1：在基板表面制备栅电极、栅绝缘层；步骤S2：前驱体溶液的制备，所述前驱体溶液采用硝酸铽水合物制备；所述步骤S2具体包括：所述前驱体溶液的溶液A中In:Li:Tb离子比例为95:5:0；所述前驱体溶液的溶液B中In:Li:Tb离子比例为85:5:10；步骤S3：在所述栅绝缘层远离所述基板一侧的表面制备第一层有源层，在所述第一层有源层表面制备第二层有源层；步骤S3具体包括：步骤S31：采用旋涂方式将所述溶液A预生长在栅绝缘层远离所述基板一侧的表面上，随后在大气环境下进行退火处理，得到第一层有源层；步骤S32：采用氧气Plasma对所述第一层有源层进行表面处理；步骤S33：采用旋涂方式将所述溶液B预生长在所述第一层有源层上，随后在大气环境下进行退火处理，得到第二层有源层；步骤S4：制备源漏电极，得到双有源层氧化物薄膜晶体管器件；其中，铽元素以三价离子、四价离子混合价态的形式存在；所述第一层有源层薄膜厚度小于所述第二层有源层薄膜厚度；所述步骤S2可以置于使用前的任何一步；所述双有源层氧化物薄膜晶体管器件充分发挥铽离子高氧结合能和低电荷转移跃迁能的特性，通过掺杂少量的铽元素提升了器件的电学偏压稳定性。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 漳州市合琦靶材科技有限公司 一种双有源层铽掺杂氧化物薄膜晶体管及其制备方法
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