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申请/专利权人：上海交通大学
摘要：本发明公开了一种金半接触电阻的界面掺杂改性方法，包括：在金半接触下对其界面进行金属元素掺杂改性，其中金半接触为NiSi和Si体系，金属元素为电负性弱的金属元素，选自Hf、Sc、Ti、Zr、Al、Ta中的一种或多种，特别地，以NiSi为金属层，Si为半导体层，在其接触界面掺杂金属元素，通过溅射沉积方法使Ni原子在Si衬底上沉积形成薄膜，退火处理形成NiSi，采用离子注入的方式，在NiSi与Si的界面处注入金属元素进行界面掺杂改性。本发明在保持NiSi体系在小尺寸下的优势，进一步降低界面接触电阻，增强器件电流驱动能力，改善器件整体性能，从而满足小尺寸器件对界面接触电阻的需求。
主权项：1.一种金半接触电阻的界面掺杂改性方法，其特征在于，包括：在金半接触下对其界面进行金属元素掺杂改性；其中：所述金半接触为NiSi和Si体系；所述金属元素为电负性弱的金属元素，选自Hf、Sc、Ti、Zr、Al、Ta中的一种或多种。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海交通大学 一种金半接触电阻的界面掺杂改性方法
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