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申请/专利权人：上海交通大学
摘要：本发明公开了一种氧化铪基铁电薄膜的掺杂改性方法，以氧化铪基铁电薄膜为骨架材料，通过原子层沉积技术进行掺杂，在N2中快速热退火形成铁电正交相，其中氧化铪基铁电薄膜为Zr掺杂的HfO2铁电薄膜，结构式为HfxZr1‑xO2，0＜x＜1；掺杂元素选自第IIA族元素、第IIIB族元素或第IIIA主族元素，例如Ca、Sr、Sc、Y、La、Al、Ga和In等。本发明采用趋向于形成替代掺杂态的掺杂元素，在主体材料氧化铪基铁电薄膜体系下可以实现更多替代掺杂，降低铪基铁电薄膜的矫顽场，获得具有低矫顽场的氧化铪基铁电薄膜，提升铪基铁电薄膜的可靠性。
主权项：1.一种氧化铪基铁电薄膜的掺杂改性方法，其特征在于，以氧化铪基铁电薄膜为骨架材料，通过原子层沉积掺杂元素进行掺杂改性，在N2中快速热退火形成铁电正交相；其中：所述氧化铪基铁电薄膜为Zr掺杂的HfO2铁电薄膜，结构式为HfxZr1-xO2，其中0＜x＜1；所述掺杂元素选自第IIA族元素、第IIIB族元素或第IIIA主族元素中的一种或两种以上组合。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海交通大学 一种氧化铪基铁电薄膜的掺杂改性方法
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