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一种基于硅基的砷化镓射频芯片封装结构及其制备方法 

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申请/专利权人:中国电子科技集团公司第五十八研究所

摘要:本发明涉及集成电路封装技术领域,具体涉及一种基于硅基的砷化镓射频芯片封装结构及其制备方法,包括:第一硅基底:第一硅基底的上表面设有第一金属层;第二硅基底:第二硅基底上分别设有TSV结构、芯片腔体和砷化镓射频芯片,其第二硅基底的下表面设有第二金属层,砷化镓射频芯片有源面朝外埋入芯片腔体中;介质层:介质层覆盖在第二硅基底的上表面;特征通孔:特征通孔图形化设置在介质层中;布线层:布线层设置在介质层的上表面,砷化镓射频芯片背金接地面通过导电粘结层和金属键合层实现芯片背金接地面与外部TSV金属通孔的连接,通过外部TSV金属通孔将芯片背金面接地信号端引出到芯片有源面同一平面,再通过对晶圆再布线形成扇出型封装体。

主权项:1.一种基于硅基的砷化镓射频芯片扇出封装结构,其特征在于,包括:第一硅基底:所述第一硅基底的上表面设有第一金属层;第二硅基底:所述第二硅基底上分别设有TSV结构、芯片腔体和砷化镓射频芯片,其所述第二硅基底的下表面设有第二金属层,所述砷化镓射频芯片有源面朝外埋入所述芯片腔体中;介质层:所述介质层覆盖在所述第二硅基底的上表面;特征通孔:所述特征通孔图形化设置在所述介质层中;布线层:所述布线层设置在所述介质层的上表面,并连接所述特征通孔;还包括设置在所述砷化镓射频芯片与所述芯片腔体底面之间的粘结层,所述粘结层为导电胶,金属焊料或其他起到导电和粘结作用的材料;还包括设置在所述第一硅基底和所述第二硅基底之间的金属键合层,所述第一硅基底和所述第二硅基底是通过晶圆与晶圆金属键合连接在一起;所述砷化镓射频芯片包括位于芯片背面的芯片背金接地面,通过导电的所述粘结层和所述金属键合层实现所述砷化镓射频芯片背金接地面与所述TSV结构的连接;通过外部TSV金属通孔将芯片背金面接地信号端引出到芯片有源面同一平面。

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